
Серверная память Micron MTC20F2085S1RC48BA1 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM
Micron MTC20F2085S1RC48BA1 — одноранговая память 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 1Rx4, PC5-38400 и CL40.
Хотим продать
На странице собраны серверы, GPU-ускорители, серверная оперативная память, SSD и HDD, коммутаторы, сетевое оборудование и комплектующие, доступные на складах Rack&Roll, включая склад компании в Китае. Для китайского склада в карточке указывается срок доставки в РФ 10–15 рабочих дней.
Показано 48 из 838, страница 17 из 18

Micron MTC20F2085S1RC48BA1 — одноранговая память 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 1Rx4, PC5-38400 и CL40.

Micron MTC40F2046S1RC48B / MTC36F2046S1PC48B — серверная память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: x4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5.

Micron MTC40F2046S1RC56B / MTC36F2046S1PC56B — серверная память 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: x4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5-5600.

Micron MTC40F2046S1RC64B — 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, организация 2Rx4, пропускная способность PC5-51200 и CL52.

Micron MTC40F2047S1RC56B — серверный модуль 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с пропускной способностью PC5-44800 и задержкой CL46.

Micron MTC40F2047S1RC64B — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Micron MTC40F204WS1RC48B — 96 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4, PC5-38400 и CL40.

Micron MTC40F204WS1RC56B / MTC36F204WS1PC56B — серверная память 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: x4, 24-Гбит DRAM. Подходит для увеличения памяти без перехода к 128-ГБ модулям.

Micron MTC40F204WS1RC64B — серверная память 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL52.

SK Hynix HMA82GR7CJR8N-XN / HMA82GR7DJR8N-XN — серверная память 16 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM. Организация: 2Rx8. Подходит для расширения серверов с умеренным объёмом памяти.

SK Hynix HMA84GR7CJR4N-VK — серверная память 32 ГБ DDR4-2666 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для серверов поколения DDR4-2666.

SK Hynix HMAA4GR7CJR8N-XN / HMAA4GR7AJR8N-XN — серверная память 32 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM. Организация: 2Rx8. Подходит для равномерного заполнения каналов памяти.

SK Hynix HMAA8GR7AJR4N-XN / HMAA8GR7CJR4N-XN — серверная память 64 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для виртуализации, баз данных и консолидации.

SK Hynix HMCG84AGBRA / HMCG88AGBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: HMCG84AGBRA — x4; HMCG88AGBRA — x8. Подходит для современных серверов с поддержкой DDR5-5600.

SK Hynix HMCG84AHBRA / HMCG88AHBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM. Организация: HMCG84AHBRA — x4; HMCG88AHBRA — x8. Подходит для серверов нового поколения с поддержкой DDR5-6400.

SK Hynix HMCG84MEBRA / HMCG88MEBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: HMCG84MEBRA — x4; HMCG88MEBRA — x8. Подходит для платформ первого поколения DDR5.

SK Hynix HMCG94AGBRA — двухранговый модуль 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с организацией 2Rx4, PC5-44800 и CL46.

SK Hynix HMCG94AHBRA — память 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, двухранговая схема 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

SK Hynix HMCG94MEBRA / HMCG94MEBQA — серверная память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5.

SK Hynix HMCGM4MGBRB — модуль 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL46.

SK Hynix HMCGM4MHBRB — серверная память 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, 2Rx4 и CL52.

SK Hynix HMCT04AGERA — серверный модуль 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с полосой PC5-44800 и задержкой CL46.

SK Hynix HMCT04MEERA — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

SK Hynix HMCT04MHBRC — память 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14AGERA — высокоёмкая память 256 ГБ DDR5-5600 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-44800 и CL46.

SK Hynix HMCT14AHERA — 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4-организация, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14MEERA — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0BB0-CQK — одноранговый модуль 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 1Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0EB2-CCP — серверный модуль 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM в конфигурации 1Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R4GA0EB2-CWM — память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, одноранговая организация 1Rx4, PC5-44800 и CL46.

Samsung M321R8GA0BB0-CQK — двухранговая память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, организация 2Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R8GA0EB2-CCP — 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, двухранговая организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R8GA0EB2-CWM — модуль 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с организацией 2Rx4, напряжением 1,1 В и CL46.

Samsung M321RAGA0B20-CWK — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

Samsung M321RAJA0MB2-CCP — 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RAJA0MB2-CWM — серверная память 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с полосой PC5-44800 и задержкой CL46.

Samsung M321RBGA0B40-CWK — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321RBJA0M22-CLP — память 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RYGA0BB0-CQK — модуль 96 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL40.

Samsung M321RYGA0PB2-CCP — 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321RYGA0PB2-CWM — серверная память 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, схема 2Rx4 и CL46.

Samsung M386AAG40DM3-CWE / M386AAG40BM3-CWE — серверная память 128 ГБ DDR4-3200 ECC LRDIMM. Организация: 4Rx4. Подходит для систем с высокой плотностью памяти на слот.

Samsung M386AAG40MMB-CPB — серверная память 128 ГБ DDR4-2133 ECC LRDIMM. Организация: 4Rx4. Подходит для серверов DDR4 с поддержкой 128-ГБ LRDIMM.

Samsung M393A2K43DB3-CWE — одноранговая серверная память 16 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM, 1Rx8, PC4-25600 и CL22.

Samsung M393A4K40CB2-CTD — серверная память 32 ГБ DDR4-2666 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для серверов поколения DDR4-2666.

Samsung M393A4K40DB3-CWE — модуль 32 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM с двухранговой организацией 2Rx4 и таймингом CL22.

Samsung M393A8G40CB4-CWE — двухранговый модуль 64 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM, 2Rx4, для увеличения ёмкости памяти на слот.

Samsung M393AAG40M32-CAE — серверный модуль памяти 128 ГБ DDR4 3200 MT/s, ECC 3DS RDIMM. Организация — x4, высокая плотность. Сценарий применения — плотная виртуализация, базы данных и in-memory нагрузки.
В карточке каждого товара указан фактический статус. Позиции со склада в Китае доступны к заказу сразу; срок доставки в РФ составляет 10–15 рабочих дней.