
Оперативная память Innodisk M5C0-BGM2MCZQ 32 ГБ DDR5-5600 ECC UDIMM
Модуль DDR5 ECC UDIMM на 32 ГБ с передачей 5600 MT/s, организацией 2Rx8 и питанием 1,1 В.
Rack&Roll
Память DDR5 Samsung, Micron, SK hynix и Innodisk. В подборке есть ECC RDIMM, ECC UDIMM и UDIMM. Тип модуля должен соответствовать требованиям вашей платформы.
Показано 48 из 48

Модуль DDR5 ECC UDIMM на 32 ГБ с передачей 5600 MT/s, организацией 2Rx8 и питанием 1,1 В.

DDR5 ECC UDIMM объёмом 48 ГБ: 5600 MT/s, два ранга 2Rx8, конфигурация микросхем 3G x 8.


Регистровый модуль памяти DDR5 RDIMM объёмом 64 ГБ со скоростью 6400 MT/s, организацией 2Rx4 и коррекцией ошибок ECC.

Широкотемпературный DDR5 UDIMM на 24 ГБ со скоростью 5600 MT/s и диапазоном −40…95 °C (Tc).

Широкотемпературный модуль DDR5 UDIMM объёмом 32 ГБ со скоростью 5600 MT/s, двухранговой организацией 2Rx8 и питанием 1,1 В.

Серверный модуль HPE Smart Memory 32 ГБ DDR5-4800 ECC Registered: 2Rx8, 1,1 В, тайминги CAS 40-39-39, исполнение EC8.

Регистровый модуль DDR5 RDIMM ECC на 64 ГБ, 5600 MT/s, организация 2Rx4 и шина x80.

DDR5 RDIMM ECC ёмкостью 128 ГБ: скорость 5600 MT/s, двухранговая организация 2Rx4.

Micron MTC20F1045S1RC56B / MTC20F2085S1RC56B — серверная память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: MTC20F1045S1RC56B — x4; MTC20F2085S1RC56B — x8. Подходит для современных серверов с поддержкой DDR5-5600.

Micron MTC20F1045S1RC64B / MTC20F2085S1RC64B — серверная память 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM. Организация: MTC20F1045S1RC64B — x4; MTC20F2085S1RC64B — x8. Подходит для серверов нового поколения с поддержкой DDR5-6400.

Micron MTC20F2085S1RC48BA1 — двухранговая память 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 2Rx8, PC5-38400 и CL40.

Micron MTC40F2046S1RC48B / MTC36F2046S1PC48B — серверная память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: x4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5.

Micron MTC40F2046S1RC56B / MTC36F2046S1PC56B — серверная память 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: x4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5-5600.

Micron MTC40F2046S1RC64B — 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, организация 2Rx4, пропускная способность PC5-51200 и CL52.

Micron MTC40F2047S1RC56B — серверный модуль 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с пропускной способностью PC5-44800 и задержкой CL46.

Micron MTC40F2047S1RC64B — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Micron MTC40F204WS1RC48B — 96 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4, PC5-38400 и CL40.

Micron MTC40F204WS1RC56B / MTC36F204WS1PC56B — серверная память 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: x4, 24-Гбит DRAM. Подходит для увеличения памяти без перехода к 128-ГБ модулям.

Micron MTC40F204WS1RC64B — серверная память 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL52.

SK Hynix HMCG84AGBRA / HMCG88AGBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM. Организация: HMCG84AGBRA — x4; HMCG88AGBRA — x8. Подходит для современных серверов с поддержкой DDR5-5600.

SK Hynix HMCG84AHBRA / HMCG88AHBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM. Организация: HMCG84AHBRA — x4; HMCG88AHBRA — x8. Подходит для серверов нового поколения с поддержкой DDR5-6400.

SK Hynix HMCG84MEBRA / HMCG88MEBRA — серверная память 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: HMCG84MEBRA — x4; HMCG88MEBRA — x8. Подходит для платформ первого поколения DDR5.

SK Hynix HMCG94AGBRA — двухранговый модуль 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с организацией 2Rx4, PC5-44800 и CL46.

SK Hynix HMCG94AHBRA — память 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, двухранговая схема 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

SK Hynix HMCG94MEBRA / HMCG94MEBQA — серверная память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для виртуализации и консолидации на платформах DDR5.

SK Hynix HMCGM4MGBRB — модуль 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL46.

SK Hynix HMCGM4MHBRB — серверная память 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, 2Rx4 и CL52.

SK Hynix HMCT04AGERA — серверный модуль 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с полосой PC5-44800 и задержкой CL46.

SK Hynix HMCT04MEERA — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

SK Hynix HMCT04MHBRC — память 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14AGERA — высокоёмкая память 256 ГБ DDR5-5600 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-44800 и CL46.

SK Hynix HMCT14AHERA — 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4-организация, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14MEERA — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0BB0-CQK — одноранговый модуль 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 1Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0EB2-CCP — серверный модуль 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM в конфигурации 1Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R4GA0EB2-CWM — память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, одноранговая организация 1Rx4, PC5-44800 и CL46.

Samsung M321R8GA0BB0-CQK — двухранговая память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, организация 2Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R8GA0EB2-CCP — 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, двухранговая организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R8GA0EB2-CWM — модуль 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с организацией 2Rx4, напряжением 1,1 В и CL46.

Samsung M321RAGA0B20-CWK — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

Samsung M321RAJA0MB2-CCP — 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RAJA0MB2-CWM — серверная память 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с полосой PC5-44800 и задержкой CL46.

Samsung M321RBGA0B40-CWK — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321RBJA0M22-CLP — память 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RYGA0BB0-CQK — модуль 96 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL40.

Samsung M321RYGA0PB2-CCP — 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321RYGA0PB2-CWM — серверная память 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, схема 2Rx4 и CL46.
RDIMM и UDIMM — разные типы модулей. Для подбора укажите код установленной памяти или модель оборудования.