
Серверная память SK Hynix HMCT04MEERA 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM
SK Hynix HMCT04MEERA — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.
Rack&Roll
Серверная память используется для модернизации и расширения серверов, систем хранения данных и корпоративной ИТ-инфраструктуры, где важны стабильность, совместимость и надежная работа под постоянной нагрузкой. В каталоге Rack&Roll представлены ECC RDIMM и LRDIMM DDR4 и DDR5 для Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro и других платформ. Помогаем подобрать модули по модели сервера, текущей маркировке, объему, частоте, рангу и схеме заполнения слотов.
Показано 29 из 77, страница 2 из 2

SK Hynix HMCT04MEERA — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

SK Hynix HMCT04MHBRC — память 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14AGERA — высокоёмкая память 256 ГБ DDR5-5600 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-44800 и CL46.

SK Hynix HMCT14AHERA — 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4-организация, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

SK Hynix HMCT14MEERA — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0BB0-CQK — одноранговый модуль 32 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM с организацией 1Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R4GA0EB2-CCP — серверный модуль 32 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM в конфигурации 1Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R4GA0EB2-CWM — память 32 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, одноранговая организация 1Rx4, PC5-44800 и CL46.

Samsung M321R8GA0BB0-CQK — двухранговая память 64 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, организация 2Rx4, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321R8GA0EB2-CCP — 64 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, двухранговая организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321R8GA0EB2-CWM — модуль 64 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с организацией 2Rx4, напряжением 1,1 В и CL46.

Samsung M321RAGA0B20-CWK — модуль высокой ёмкости 128 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM, PC5-38400, 1,1 В и CL40.

Samsung M321RAJA0MB2-CCP — 128 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM, пропускная способность PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RAJA0MB2-CWM — серверная память 128 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM с полосой PC5-44800 и задержкой CL46.

Samsung M321RBGA0B40-CWK — модуль 256 ГБ DDR5-4800 ECC 3DS RDIMM с x4-организацией, PC5-38400 и CL40.

Samsung M321RBJA0M22-CLP — память 256 ГБ DDR5-6400 ECC 3DS RDIMM, x4, PC5-51200, 1,1 В и CL52.

Samsung M321RYGA0BB0-CQK — модуль 96 ГБ DDR5-4800 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4 и CL40.

Samsung M321RYGA0PB2-CCP — 96 ГБ DDR5-6400 ECC RDIMM на 24-Гбит DRAM, организация 2Rx4, PC5-51200 и CL52.

Samsung M321RYGA0PB2-CWM — серверная память 96 ГБ DDR5-5600 ECC RDIMM, 24-Гбит DRAM, схема 2Rx4 и CL46.

Samsung M386AAG40DM3-CWE / M386AAG40BM3-CWE — серверная память 128 ГБ DDR4-3200 ECC LRDIMM. Организация: 4Rx4. Подходит для систем с высокой плотностью памяти на слот.

Samsung M386AAG40MMB-CPB — серверная память 128 ГБ DDR4-2133 ECC LRDIMM. Организация: 4Rx4. Подходит для серверов DDR4 с поддержкой 128-ГБ LRDIMM.

Samsung M393A2K43DB3-CWE — одноранговая серверная память 16 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM, 1Rx8, PC4-25600 и CL22.

Samsung M393A4K40CB2-CTD — серверная память 32 ГБ DDR4-2666 ECC RDIMM. Организация: 2Rx4. Подходит для серверов поколения DDR4-2666.

Samsung M393A4K40DB3-CWE — модуль 32 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM с двухранговой организацией 2Rx4 и таймингом CL22.

Samsung M393A8G40CB4-CWE — двухранговый модуль 64 ГБ DDR4-3200 ECC RDIMM, 2Rx4, для увеличения ёмкости памяти на слот.

Samsung M393AAG40M32-CAE — серверный модуль памяти 128 ГБ DDR4 3200 MT/s, ECC 3DS RDIMM. Организация — x4, высокая плотность. Сценарий применения — плотная виртуализация, базы данных и in-memory нагрузки.
Для точного расчета пришлите модель сервера или СХД, требуемый объем памяти, фото установленного модуля или код производителя. Проверим совместимость, наличие, сроки поставки, возможность замены на согласованный аналог и подготовим коммерческое предложение для юридического лица.